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相較于第一和第二代半導體，第三代半導體采用氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化鋅（ZnO）、金剛石（C）、氮化鋁（AlN）等新興半導體材料。利用更好的化合物帶來更佳的性能優勢，耐高壓、耐高溫、大功率、抗輻射的特性，隨之帶來更強的導電性能、更快的工作速度、更低的工作損耗。與傳統半導體材料相比，第三代半導體材料足以構建遠超現有產品的性能。且第三代半導體寬泛隸屬于后摩爾定律概念，對制程和設備的要求相對不高，難點更在于第三代半導體材料的制備和應用端設計上。

對中國而言第三代半導體屬于勢在必得的未來科學層面，既源于中國半導體需求在國際上目前面臨圍追堵截的現狀，也是對第三代半導體所代表的尖端科技風向把握。在第三代半導體領域中，尚未有企業或國家能完全取得占據主導地位。中國作為全球最大的金屬鎵儲量國，近年來對第三代半導體行業持續加大資本投入與技術創新力度，力求借助第三代半導體新興機遇，完成突破半導體技術封鎖，實現國產半導體行業質的飛躍。

隨著我國新基建、5G通信、新能源、航空航天等領域的進程穩步向前，半導體新材料的使用量也將進入一段全新的爆發增長期。相對應的是在剛剛通過的十四五規劃中，明確提出對碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體材料科學的重視。進入國家級規劃視野，意味著獲取來自更高一級層面的大力扶持，對于第三代半導體產業只會是如虎添翼。正因如此，盛世華為始終對半導體行業的前景抱有強烈信心和期待。

（圖源：蘇州工業園區科技招商中心）

2021年三月，初春時節，萬物更新。春風得意的姑蘇城又迎來一項重磅機遇，科技部正式批復支持“國家第三代半導體技術創新中心”落戶蘇州工業園區。“國之重器”的眷顧令蘇州與高端半導體產業又多一重羈絆。“國家第三代半導體技術創新中心”將聚焦第三代半導體關鍵核心技術和重大應用突破，統籌全國優勢力量實現源頭技術供給，推動我國第三代半導體產業創新能力整體躍升。對于蘇州的半導體行業而言，無疑是更甚以往的飛躍式機遇。由盛世華為負責的重點項目材料科學姑蘇實驗室揭牌成立并入選首批江蘇省實驗室，也代表著蘇州第三代半導體產業創新策源能力的進一步提高。

得益于蘇州第三代半導體產業上下游集聚的有利趨勢，盛世華為立足半導體行業前沿，對半導體行業風云變革的產業格局展現敏銳感知和戰略思考。在半導體領域長久的耕耘下積聚相當的實戰經驗，尤其半導體行業必需的工藝介質供應系統，盛世華為已實現多年布局，更曾先后服務于多家國內領先的光電通信芯片企業，針對性突破半導體芯片企業面臨的實驗室和生產過程中的硬性制約。例如應對度亙激光項目中芯片裝配需要，實現了萬級+千級的無塵凈化標準，對特殊氣體（氮氣、氬氣、氦氣）的施工應用解決方案。為貼合移遠通信項目中為通訊模塊的嚴格生產需求，采用溫濕度精準控制系統，防靜電地面鋪設。遵循嚴格的工藝流程為旭創科技項目光通訊模塊的生產制造合格有利的條件。

（盛世華為凈化車間項目展示）

（盛世華為凈化車間項目展示）

盛世華為在半導體領域的提前布局，展現了企業領導者高瞻遠矚的決策視角，為盛世華為入局如火如荼的第三代半導體行業預先鋪就道路。基于蘇州對第三代半導體行業始終熱誠的支持態度，可預見到更多的半導體產業前沿科技企業將選擇在蘇州這片熱土扎根。盛世華為將圍繞制程關鍵系統綜合解決方案的領域優勢，為中國國產半導體行業的崛起創造更有利的環境支撐。

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